[发明专利]具有形成于端部区域的反铁磁钉扎层结构的自旋阀传感器无效
| 申请号： | 200510066732.1 | 申请日： | 2005-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1697025A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 戴维·E·海姆 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G01R33/09;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种自旋阀传感器。本发明一示例性实施例中，自旋阀传感器包括：自由层结构；包括至少第一反平行(AP)被钉扎层的AP被钉扎层结构；及形成在自由层结构和AP被钉扎层结构之间的非磁的导电间隔层。用于磁性钉扎第一AP被钉扎层的第一和第二反铁磁(AFM)钉扎层结构形成在端部区域中，但不在其中央区域。每个AFM钉扎层结构的边缘和传感器边缘分开距离DA。第一AP被钉扎层形成在中央区域和端部区域中，从而与第一和第二AFM钉扎层结构相接触。有利地，在提供了自钉扎传感器的优点(即中央区域中的传感器剖面很薄)的传感器中表现出足够的钉扎特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 形成 区域 反铁磁钉扎层 结构 自旋 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种自旋阀传感器，包括：自由层结构；反平行(AP)被钉扎层结构；形成在所述自由层结构和所述AP被钉扎层结构之间的非磁的导电间隔层；以及形成在所述传感器的端部区域中但不在所述传感器的中央区域的第一和第二反铁磁(AFM)钉扎层结构。
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