[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510066855.5 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1787177A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 川村和郎 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;郑特强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：在栅电极30上形成Co膜72的步骤，该栅电极的栅长Lg小于等于50nm；第一次热处理步骤，进行热处理，以使Co膜72和栅电极30相互反应，从而在栅电极30的上部形成CoSi膜76a；选择性蚀刻掉Co膜72未反应部分的步骤；以及第二次热处理步骤，进行热处理，以使CoSi膜76a和栅电极30相互反应，从而在栅电极30的上部形成CoSi2膜42a，其中，在第一次热处理步骤中，形成CoSi膜76a，以使得CoSi膜76a的高度h与CoSi膜76a的宽度w之比h/w小于等于0.7。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成栅电极的步骤，该栅电极的栅长小于等于50nm；在该栅电极两侧的半导体衬底中形成源/漏扩散层的步骤；在该栅电极上形成钴膜的步骤；第一次热处理步骤，使该钴膜与该栅电极反应，以在该栅电极的上部上形成一硅化钴膜；选择性蚀刻掉该钴膜的未反应部分的步骤；以及第二次热处理步骤，使该一硅化钴膜与该栅电极反应，以在该栅电极的上部上形成二硅化钴膜，其中在该第一次热处理步骤中，形成该一硅化钴膜，以使得该一硅化钴膜的高度与该一硅化钴膜的宽度之比h/w小于等于0.7。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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