[发明专利]激光照射设备和制造半导体器件的方法有效
申请号: | 200510066914.9 | 申请日: | 2005-04-25 |
公开(公告)号: | CN1691293A | 公开(公告)日: | 2005-11-02 |
发明(设计)人: | 田中幸一郎;山本良明 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/00;B23K26/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明;梁永 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种激光照射设备,其能够用具有均匀能量密度的激光束照射照射物体,而不使光学系统变复杂。本发明的激光照射设备,包括:激光振荡器;光学系统,用于在照射物体的表面之上在单轴方向上重复地扫描自激光振荡器发出的激光束的束斑;以及定位控制装置,用于在与单轴方向垂直的方向上相对于激光束移动照射物体的位置。 | ||
搜索关键词: | 激光 照射 设备 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种激光照射设备,包括:激光振荡器;光学系统,用于通过扫描从激光振荡器发出的激光束来形成准线性束斑,以便沿着直线来回移动;和用于在与准线性束斑的主轴相交的方向上,相对于激光束移动照射物体的位置的装置;其中通过所述装置移动照射物体,使得在照射第一照射区后,用准线性束斑照射的第一照射区与用准线性束斑照射的第二照射区部分重叠,且其中在第一照射区完全固化之前,通过所述装置将准线性束斑的位置从第一照射区移动到第二照射区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造