[发明专利]碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料无效
| 申请号： | 200510067200.X | 申请日： | 2005-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN1857993A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 邹建平;郭国聪;陈文通;蔡丽珍;赵振乾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;C30B29/48;C30B15/00;C30B25/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料，涉及一类新型红外材料。其化合物以HgTe、CdTe和InSb为原料，采用真空中高温固相合成法。其单晶生长温度为700～850℃，控制坩埚下降速度为5～30mm/h。其薄膜材料采用分子束外延方法制备。本类材料是一种带隙在较宽范围内可调整，结构相对稳定，组分均匀，且制备工艺相对简单，低汞含量而响应波长在中长波段的且性能可与MCT红外半导体材料相媲美的新型红外材料。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化汞 碲化镉 锑化铟共晶 结构 化合物 及其 材料 薄膜 | ||
【主权项】：
1.碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物的合成方法，其特征在于：以HgTe、CdTe和InSb为原料，采用真空中高温固相合成法。
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