[发明专利]多晶硅薄膜晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 200510067253.1 | 申请日： | 2005-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1747140A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 孙暻锡;柳明官;朴宰徹;金亿洙;李俊昊;权世烈;任章淳 | 申请（专利权）人： | 京东方显示器科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G02F1/1368;G09G3/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种多晶硅薄膜晶体管的形成方法，其包括如下步骤：在玻璃基板上顺序形成缓冲膜和非晶硅膜；利用由晶粒碰撞产生突出部生成的结晶化方法使所述非晶硅膜结晶化，形成具有多个突出部的多晶硅膜；在有源图案上构图所述多晶硅膜，该有源图案仅具有两个突出部，所述突出部隔着栅电极形成区域离开配置；在所述构图的多晶硅膜上涂敷阻挡膜，不完全覆盖突出部；对所述基板结果物离子注入掺杂剂，在含有突出部的栅电极形成区域两侧的多晶硅膜部分分别形成源极和漏极；除去所述阻挡膜；在所述基板结果物上形成栅极绝缘膜；在所述源极及漏极之间的栅极绝缘膜部分上形成栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃基板上顺序形成缓冲膜和非晶硅膜；利用由晶粒碰撞产生突出部生成的结晶化方法使所述非晶硅膜结晶化，形成具有多个突出部的多晶硅膜；在有源图案上构图所述多晶硅膜，该有源图案仅具有两个突出部，所述突出部隔着栅电极形成区域离开配置；在所述构图的多晶硅膜上涂敷阻挡膜，不完全覆盖突出部；对所述基板结果物离子注入掺杂剂，在含有突出部的栅电极形成区域两侧的多晶硅膜部分分别形成源极和漏极；除去所述阻挡膜；在所述基板结果物上形成栅极绝缘膜；在所述源极及漏极之间的栅极绝缘膜部分上形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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