[发明专利]薄膜设备、集成电路、电光学装置、电子机器无效
| 申请号： | 200510067310.6 | 申请日： | 2005-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1684259A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 原弘幸 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜设备。该薄膜设备是由层叠多层包含一个或多个薄膜元件的薄膜元件层(13、15)构成的薄膜设备，上述薄膜元件(20、30)具有通过流经电流而产生发热的发热区域(21、31)，在相邻的两个上述薄膜元件层上，相对配置各上述薄膜元件，使包含在一方的上述薄膜元件层(13)中的上述薄膜元件(20)的上述发热区域(21)与包含在另一方的上述薄膜元件层(15)中的上述薄膜元件(30)的上述发热区域(31)在该薄膜元件层的厚度方向上不重叠。因此可以避免在层方向上邻接配置的薄膜元件相互之间的发热影响，确保稳定动作。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 设备 集成电路 光学 装置 电子 机器 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜设备，是层叠多层包含一个或多个薄膜元件的薄膜元件层而构成的薄膜设备，其特征在于，所述薄膜元件具有通过流经电流而产生发热的发热区域，在邻接的两个所述薄膜元件层上，相对配置各所述薄膜元件，使包含在一方的所述薄膜元件层中的所述薄膜元件的所述发热区域与包含在另一方的所述薄膜元件层中的所述薄膜元件的所述发热区域在该薄膜元件层的厚度方向上不重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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