[发明专利]半导体装置以及其制造方法、集成电路、电光学装置、电子设备

摘要

本发明提供在薄膜晶体管等的半导体装置中，可以避免在半导体膜的边缘部分的电场集中，使可靠性提高的技术。其是使用层叠了半导体膜、绝缘膜以及电极的构造的场效应型半导体装置的制造方法。包括：第1工序，在至少一面为绝缘性的基板(10)的该面上，形成岛状半导体膜(12)的；第2工序，在基板的一面上，形成第1绝缘膜(14)，以覆盖半导体膜而且使在半导体膜的上部以外的部分的膜厚和该半导体膜的膜厚大致相同或者大于此膜厚；第3工序，使第1绝缘膜的至少在半导体膜上部区域的膜厚减小；第4工序，形成电极(18)，以使其在使膜厚减小之后的第1绝缘膜的上部并贯通半导体膜的规定位置的上部。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，是使用层叠了半导体膜、绝缘膜以及电极的构造的场效应型半导体装置的制造方法；其特征在于，包括：第1工序，在至少一面为绝缘性的基板的该面上形成岛状半导体膜；第2工序，在所述基板的一面上，形成第1绝缘膜，以覆盖所述半导体膜而且在所述半导体膜的上部以外部分的膜厚和该半导体膜的膜厚大致相同或者大于此膜厚；第3工序，使所述第1绝缘膜的至少在所述半导体膜的上部的区域的膜厚减小；和第4工序，形成电极，使其在使膜厚减小之后的所述第1绝缘膜的上部并贯通所述半导体膜规定位置的上部。