[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置。该装置具备：具有活性层的基板、设置于所述活性层上的元件区域、设置于所述元件区域内的P型半导体区域、在第1方向上，分别设置于所述P型半导体区域两侧，而且设置于所述元件区域内的第1和第2 N型半导体区域、具有使沟槽长度方向与所述第1方向大致一致地在所述P型半导体区域上设置的第1栅极的N型MOS晶体管、具有使沟槽长度方向与所述第1方向大致一致地在所述第1N型半导体区域上设置的第2栅极的第1P型MOS晶体管、以及具有使沟槽长度方向与所述第1方向大致一致地在所述第2N型半导体区域上设置的第3栅极的第2P型MOS晶体管。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备具有绝缘层和设置于所述绝缘层上的活性层的基板、设置于所述活性层上的第1元件区域、设置于所述第1元件区域周围的所述活性层，达到所述绝缘层的元件分离区域、设置于所述第1元件区域内，达到所述绝缘层的P型半导体区域、以及在所述第1方向上，分别设置于所述P型半导体区域两侧，而且设置于所述第1元件区域内，达到所述绝缘层的第1和第2N型半导体区域，N型MOS晶体管在所述P型半导体区域至少设置一个，而且具有使沟槽长度方向与所述第1方向大致一致地在所述P型半导体区域上设置的第1栅极，第1P型MOS晶体管在所述第1N型半导体区域至少设置一个，而且具有使沟槽长度方向与所述第1方向大致一致地在所述第1N型半导体区域上设置的第2栅极，第2P型MOS晶体管在所述第2N型半导体区域至少设置一个，而且具有使沟槽长度方向与所述第1方向大致一致地在所述第2N型半导体区域上设置的第3栅极。