[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200510067389.2 申请日: 2000-08-30
公开(公告)号: CN1697179A 公开(公告)日: 2005-11-16
发明(设计)人: 柴田宽;矶部敦生 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L27/00 分类号: H01L27/00;H01L21/82;G02F1/133
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 陈景峻
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率,同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(象素写入电流)以有效地减少负载,从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上,电容器布置成与信号线平行。每个象素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样,可避免由相邻象素的写入电流产生的电容器引线的电势变化,进而获得了满意的显示图象。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种包括一个像素部分的显示器件,所述像素部分包括:在绝缘表面上形成的第一引线;在所述第一引线上形成的第一绝缘膜;在所述第一绝缘膜上的半导体膜;在所述半导体膜上形成的第二绝缘膜;在所述第二绝缘膜上形成的栅电极,所述栅电极与所述第一引线电连接;在所述栅电极上形成的第三绝缘膜;以及在所述第三绝缘膜上形成的信号线,所述信号线与所述半导体膜电连接。
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