[发明专利]电激发光装置的像素结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200510067438.2 申请日: 2005-04-21
公开(公告)号: CN1668147A 公开(公告)日: 2005-09-14
发明(设计)人: 李信宏;陈明炎;陈坤宏 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H05B33/08 分类号: H05B33/08;H05B33/20;H05B33/10;H05B33/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明揭露了一种适用于一电激发光装置的像素结构及其制造方法,该像素结构至少包括一开关晶体管、一驱动晶体管以及一电激发光元件。开关晶体管与驱动晶体管电连接,而开关晶体管以及驱动晶体管的载流子迁移率不相同,且电激发光元件与驱动晶体管电连接。而制造方法可还包括使用一灰阶光掩模的工艺方式形成不同载流子迁移率的开关晶体管与驱动晶体管。
搜索关键词: 激发 装置 像素 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种像素结构,适用于一电激发光装置,至少包括:一开关晶体管,设置于一基板上;一驱动晶体管,设置于该基板上,与该开关晶体管电连接,其中该开关晶体管以及该驱动晶体管的载流子迁移率不同;以及一电激发光元件,设置于该基板上,与该驱动晶体管电连接。
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