[发明专利]热解法制造的二氧化硅粉末有效
申请号: | 200510067621.2 | 申请日: | 2005-04-22 |
公开(公告)号: | CN1803605A | 公开(公告)日: | 2006-07-19 |
发明(设计)人: | 凯·舒马赫;石桥成泰;小林仁;保罗·布兰德尔 | 申请(专利权)人: | 德古萨股份公司 |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 过晓东 |
地址: | 德国杜塞*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 热解法制造的、初级微粒的聚集体形式的二氧化硅粉末,其BET表面积为300±25m2/g,其中所述聚集体的平均面积为4800-6000nm2,平均当量圆直径(ECD)为60-80nm,平均周长为580-750nm。其通过热解法制造,其中四氯化硅和包含H3SiCl、H2SiCl2、HSiCl3、CH3SiCl3、(CH3)2SiCl2、(CH3)3SiCl和/或(n-C3H7)SiCl3的最高40重量%的第二硅成分与初级空气和燃烧气体混合,并引入反应室燃烧,其中所述反应室中还引入二级空气,所选择的配料需使绝热火焰温度为1390至1450℃。其可作为填料使用。 | ||
搜索关键词: | 解法 制造 二氧化硅 粉末 | ||
【主权项】:
1.初级微粒的聚集体形式的热解法制造的二氧化硅粉末,其特征在于所述初级微粒具有300±25m2/g的BET表面积,其中所述聚集体具有:-4800-6000nm2的平均面积,-60-80nm的平均当量圆直径(ECD),以及-580-750nm的平均周长。
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