[发明专利]微加工方法和系统无效
| 申请号： | 200510067744.6 | 申请日： | 2005-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1700423A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | S·布斯维尔 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;B41J2/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种在半导体衬底上形成由第一侧和第二侧限定的流体处理细槽的方法。该方法包括使用研磨剂材料在半导体衬底上进行超声波研磨以便形成第一沟槽，并从后侧去除半导体衬底材料以便形成第二沟槽，其中第一和第二沟槽的至少一部分交叉以便形成穿过半导体衬底的穿透结构。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体衬底上形成由第一侧和第二侧限定的流体处理细槽的方法，包括：在半导体衬底的第一侧重复施加电能放电以便形成第一结构；以及从后侧去除半导体衬底材料以便形成第二结构，其中第一和第二结构的至少一部分交叉以便形成穿过半导体衬底的穿透结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
