[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510067756.9 | 申请日： | 2005-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1763961A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 见崎诚;栗本一实 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。从P型半导体衬底(100)的表面朝着其内部形成有多个N阱区域(101)和多个P阱区域(102)，该多个N阱区域(101)和多个P阱区域(102)沿衬底主面方向交替排列着。在P型半导体衬底(100)中的N阱区域(101)及P阱区域(102)的下侧形成有深N阱区域(103)。N阱区域(101)通过深N阱区域(103)互相电连接。P阱区域(102)的至少一部分与P型半导体衬底(100)中未形成深N阱区域(103)的区域连接。因此，在具有三阱结构的半导体装置中，控制P阱电阻的增大、减少N阱的电阻，从而使封闭耐压提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一导电型半导体衬底，从所述半导体衬底表面朝着其内部形成的第一导电型第一阱区域，一对从所述半导体衬底的表面朝着其内部形成的第二导电型第二阱区域，该一对第二阱区域夹着所述第一阱区域，以及形成在所述半导体衬底中的所述第一阱区域及所述一对第二阱区域下侧的第二导电型第三阱区域，其特征在于：所述第三阱区域与所述一对第二阱区域电连接，所述第一阱区域的至少一部分，与所述半导体衬底中未形成所述第三阱区域的区域连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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