[发明专利]MOS晶体管以及具备该晶体管的半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 200510067769.6 | 申请日： | 2005-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1694264A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 樱木正广;园田雅彦 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8224 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | MOS晶体管具备：第1导电型区域；第2导电型漏极区域，其被形成在所述第1导电型区域的表层部上；第2导电型源极区域，其在所述第1导电型区域的表层部上，在与所述第2导电型漏极区域之间上间隔沟道区域而被形成；栅极电极，其被形成在所述沟道区域上；第2导电型基极区域，其俯视来看被形成在所述第2导电型漏极区域的内侧上；多个第1导电型发射极区域，其在该第2导电型基极区域内的表层部上，在规定方向互上互相空以间隔而被形成；漏极接点，其跨接在互相邻接的第1导电型发射极区域和该第1导电型发射极区域间的所述第2导电型漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 以及 具备 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1、一种MOS晶体管，其特征在于，包括：第1导电型区域；第2导电型漏极区域，其被形成在所述第1导电型区域的表层部上；第2导电型源极区域，其在所述第1导电型区域的表层部上，在与所述第2导电型漏极区域之间，间隔沟道区域而被形成；栅极电极，其被形成在所述沟道区域上；第2导电型基极区域，其在俯视时，被形成在所述第2导电型漏极区域的内侧；多个第1导电型发射极区域，其在所述第2导电型基极区域内的表层部上，在规定方向互相空以间隔而被形成；漏极接点，其跨接在互相邻接的第1导电型发射极区域和该第1导电型发射极区域间的所述第2导电型漏极区域上。
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