[发明专利]用在电荷陷阱非挥发性记忆体中的频谱位移的动作设计

摘要

本发明提供一种可用重注入循环将其程式化，并且具有电荷陷阱结构的记忆胞。重注入循环包括一个程式化脉冲，其后再加上一个可让电子从电荷陷阱结构中跳出的电荷平衡脉冲。重注入循环会对电荷陷阱结构的电荷陷阱分布产生一个频谱蓝偏移效应。本发明提供的方法包括在程式化脉冲之后，执行程式化检验动作，如果可在多数个重注入循环之后，成功通过程式化检验动作，即可宣告结束。

主权项

1、一种记忆胞操作方法，该记忆胞包括一闸极、位于一基底区之内的一源极区及一汲极区、以及在该基底中位于该源极区及该汲极区之间的一通道，并且包括一上介电质、一电荷陷阱结构、以及位于该闸极及该通道之间的一下介电质，其特征在于该记忆胞操作方法包括：应用一第一程序，以在该记忆胞中建立一低临界状态；以及应用一第二程序，以在该记忆胞中建立一高临界状态，其是包括将电子注入该电荷陷阱结构，且该第二程序是包括至少一循环，且该循环包括一诱导电子注入该电荷陷阱结构的一第一偏压配置，以及诱导电子从该电荷陷阱结构中逃出的一第二偏压配置。