[发明专利]集成电路以及形成用于晶体管栅电极的隔离层的方法

摘要

一种场效应晶体管，具有设置在源极与漏极之间的栅极、设置在栅极下方的栅极介质层和栅极侧壁上的隔离层。该栅极介质层为常规的氧化物，而隔离层具有减小的介电常数(k)。减小的介电常数(k)可以小于3.85，或可以小于7.0(～氮化物)而大于3.85(～氧化物)。优选，该隔离层包括相对于栅极介质层可以被选择性蚀刻的材料。该隔离层可以为多孔的，并在该多孔隔离层上沉积一薄层以防止湿气吸收。该隔离层可以包括选自如下的材料：Black Diamond、Coral、TERA和Blok型材料。可以通过将隔离层暴露于氧等离子体来在隔离层中形成孔。

主权项

1.一种集成电路，包括：场效应晶体管，具有设置在源极与漏极之间的栅极；栅极介质层，设置在所述栅极的下方；以及所述栅极侧壁上的隔离层；其中：所述栅极介质层为氧化物；以及所述隔离层具有减小的介电常数(k)。