[发明专利]非挥发性记忆体及其制造方法以及操作方法

摘要

本发明是关于一种非挥发性记忆体及其制造方法以及操作方法。该非挥发性记忆体的制造方法是先于基底形成堆叠结构，此堆叠结构包括下层的闸介电层与位于闸介电层上方的控制闸极。然后，于堆叠结构的顶部、侧壁与裸露的基底上，分别形成第一介电层、第二介电层与第三介电层。之后，于堆叠结构的顶部及侧壁覆盖电荷储存层，并且于电荷储存层两侧的基底上形成一对辅助闸极，其中各个辅助闸极与电荷储存层之间相距一间隙。

主权项

1、一种非挥发性记忆体的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：于一基底形成一堆叠结构，该堆叠结构包括下层的一闸介电层与位于该闸介电层上方的一控制闸极；于该堆叠结构的顶部、侧壁与裸露的该基底上，分别形成一第一介电层、一第二介电层与一第三介电层；以及于该堆叠结构的顶部及侧壁覆盖一电荷储存层，并且于该电荷储存层两侧的该基底上形成一对辅助闸极，且该等辅助闸极与该电荷储存层之间相距一间隙。