[发明专利]具有增强被动层之集成电路有效
| 申请号： | 200510068209.2 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1700470A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黄坤铭;徐振富 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/12;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈星 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有增强被动层之集成电路，在一实施例中，集成电路具有半导体基板，多层内连线结构形成于基板之上，以及多层被动层结构覆盖多层内连线结构。多层内连线结构中至少有一个金属线具有渐缩之轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 被动 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路，其特征在于至少包含：半导体基板；多层内连线结构形成于上述基板之上，其中该多层内连线结构中之顶端金属线形成渐缩轮廓；以及多层被动层结构覆上述顶部金属线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
