[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510068407.9 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1697186A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 胜又龙太 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8242;H01L21/8234;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件具备：具有第1区域和第2区域的半导体衬底；在上述第1区域的上述半导体衬底上形成的第1栅绝缘膜；在上述第1栅绝缘膜上形成的第1电极层；在上述第1电极层上形成的第1硅化物层；在上述第1硅化物层上形成的第1盖层；在上述第2区域的上述半导体衬底上形成的第2栅绝缘膜；在上述第2栅绝缘膜上形成的第2电极层；在上述第2电极层上形成的第2硅化物层；在上述第2硅化物层上形成的、比上述第1盖层薄的第2盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，具备：具有第1区域和第2区域的半导体衬底；在上述第1区域的上述半导体衬底上形成的第1栅绝缘膜；在上述第1栅绝缘膜上形成的第1电极层；在上述第1电极层上形成的第1硅化物层；在上述第1硅化物层上形成的第1盖层；在上述第2区域的上述半导体衬底上形成的第2栅绝缘膜；在上述第2栅绝缘膜上形成的第2电极层；在上述第2电极层上形成的第2硅化物层；在上述第2硅化物层上形成的、比上述第1盖层薄的第2盖层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510068407.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：化学机械抛光浆料及抛光基板的方法
- 下一篇：联接装置及其改进的装配方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
