[发明专利]电极接触结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200510068479.3 | 申请日： | 2005-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1691286A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 大野诚治;木下卓 | 申请（专利权）人： | 日本板硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L21/768;H01L21/60;H01L31/0224;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供可靠性高的电极接触结构。在由在GaAs衬底上形成的金电极、在该金电极的绝缘膜上开设的接触孔、以及通过该接触孔与金电极进行欧姆接触的铝布线构成的电极接触结构中，金电极上的铝布线的厚度最大的部分与厚度最小的部分的差，与绝缘膜的厚度大致相等或比绝缘膜的厚度小。且，金电极的膜厚为0.1μm～0.2μm。或者，将金电极的周边部分与上述绝缘膜的重合宽度控制在1μm以下。或者接触孔的大小至少在16μm2以上。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 接触 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电极接触结构，包括：金电极、在上述金电极上的绝缘膜上开设的接触孔、以及通过上述接触孔与金电极进行欧姆接触的铝布线，其特征在于：上述金电极上的上述铝布线的厚度最大的部分与厚度最小的部分的差，与上述绝缘膜的厚度大致相等或比上述绝缘膜的厚度小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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