[发明专利]氮化物基发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510068540.4 | 申请日： | 2005-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN100481536C | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 成泰连;金庆国;宋俊午;林东晳 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;光州科学技术院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯 宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种氮化物基发光器件和制造该器件的方法。该发光器件包括一个衬底，和在该衬底上依次形成的n型覆层、有源层、p型覆层、网格单元层和欧姆接触层。该网格单元层由埋在欧姆接触层中的尺寸小于30微米的离散的且导电的颗粒型单元构成。该氮化物基发光器件和制造该器件的方法对p型覆层上的欧姆接触特性作了改进，从而增加了器件的发光效率和使用寿命，同时由于省略去薄膜生长之后的活化工艺而简化了制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在n型和p型覆层之间具有有源层的氮化物基发光器件，该器件包括：形成在所述p型覆层上的网格单元层，该网格单元层包括由导电材料形成的尺寸小于30微米的且离散的颗粒型单元；以及形成在所述p型覆层和网格单元层之上的欧姆接触层，其中所述网格单元层由选自由钌、钛、锰、钴、铱、铬、铑、钪、镧系金属，以及含至少一种上述金属的合金或固溶体构成的组中的至少一种材料形成为至少一层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;光州科学技术院，未经三星电子株式会社;光州科学技术院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510068540.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：平均功率鉴频器、频率相位锁定环电路及数字电视解调器
- 下一篇：照明按钮开关
