[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200510068687.3 | 申请日： | 2005-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1694223A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 山口哲司;浅野悦子;矢崎尚美;二村智哉;西川智子 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G02F1/1368;G09G3/36;G09G3/38 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;庞立志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造具有高性能和可靠性的半导体器件的方法。可以避免在绝缘膜上形成电极或布线之后的干法蚀刻期间造成的蚀刻损害。该损害的避免是通过形成导电层使干法蚀刻过程中产生的带电粒子不能进入半导体层中。因此，本发明的一个目的在于提供一种方法，用于不造成对晶体管特性的损害，尤其是在具有微型结构的薄膜晶体管中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在基板上形成半导体层、栅绝缘膜、和栅极；在所述半导体层、栅绝缘膜、和栅极上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成导电膜；以及通过干法蚀刻在所述层间绝缘膜和所述导电膜内形成接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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