[发明专利]用于在CMOS集成电路中提供可调节漏电流的方法和结构无效
| 申请号： | 200510068762.6 | 申请日： | 2005-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1707808A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 布伦特·A.·安德森;爱德华·J.·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用来调节双栅CMOS集成电路结构中的nFET和pFET的阈值电压的方法，其中，此方法包含：在双栅CMOS集成电路结构上执行PSP(后硅化物探测)电学测试；在PSP电学测试过程中确定nFET和pFET的阈值电压；以及用碱金属离子对双栅CMOS集成电路结构进行注入，其中，注入步骤对nFET和pFET的阈值电压进行调节，调节的量是使nFET和pFET器件所希望的截止电流匹配所要求的量。根据此方法，在执行步骤之前，此方法包含：在隔离层上形成鳍形结构；在鳍形结构上形成源/漏区；淀积邻接源/漏区的栅氧化物层；以及在栅氧化物层和鳍形结构上形成栅区。金属离子包含无论是铯和铷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 cmos 集成电路 提供 调节 漏电 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，它包含：源区；漏区；设置在源区与漏区之间的沟道区；位于所述沟道区上的分叉的栅区；以及邻接所述栅区的栅氧化物层，所述栅氧化物层包含碱金属离子。
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