[发明专利]可降低排气污染的半导体工艺机器及方法无效
| 申请号： | 200510068912.3 | 申请日： | 2005-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1855384A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张绍熙 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/00;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体工艺机器包括一反应室，一真空晶舟装载器，一闸门，一抽气装置以及一控制装置。该真空晶舟装载器上设有一排气孔；该闸门设于该真空晶舟装载器和该反应室之间；该抽气装置耦合于该排气孔，用来抽出晶片表面的反应残留物和该真空晶舟装载器内的气体反应后所产生的气体；该控制装置控制该闸门及该抽气装置的开启时间。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 排气 污染 半导体 工艺 机器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种可降低排气污染的半导体工艺机器，其包括：一反应室，其上设有一第一气孔，用来将反应所需的气体通入该反应室，以及一第二气孔，用来排出该反应室内的气体；一真空晶舟装载器(vacuum cassette elevator，VCE)，耦合于该反应室，该真空晶舟装载器上设有一排气孔，用来排出该真空晶舟装载器内的气体；一闸门，设于该真空晶舟装载器和该反应室之间；一第一抽气装置，耦合于该真空晶舟装载器的排气孔，用来经由于该真空晶舟装载器的排气孔，抽出该反应室内的晶片表面上的反应残留物和该真空晶舟装载器内的气体反应后所产生的气体；以及一控制装置，用来控制该闸门及该第一抽气装置的开启时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
