[发明专利]场发射器件无效
| 申请号： | 200510068928.4 | 申请日： | 2005-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1691243A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李晶姬;郑太远;金元锡;李常贤;李玹姃;许廷娜 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;H01J31/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种场发射器件。所提供的场发射器件包括形成在阴极电极上并包括碳纳米管(CNT)的发射极，以及从发射极引出电子的栅极电极。另外，RuOx层或PdOx层涂覆在发射极表面上，从而保护CNT并稳定来自CNT的发射。在所提供的场发射器件中，用于稳定发射结构并保护发射端的稳定剂层涂覆在CNT发射极的表面上或CNT的表面上，更具体地即CNT的发射端上，从而防止由过电流或发射过程导致的CNT的磨损。因此，CNT的寿命提高，从而改善了场发射器件的可靠性和场发射器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 器件 | ||
【主权项】：
1.一种场发射器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的阴极电极；形成在所述阴极电极上并包括碳纳米管(CNT)的发射极；以及从所述发射极引出电子的栅极电极，其中保护所述CNT并稳定来自所述CNT的发射的稳定剂层形成在所述发射极上。
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