[发明专利]非易失性存储器元件

摘要

一种非易失性存储器元件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底中形成的第一导电型的第一阱区；在所述半导体衬底中形成的第二导电型的第二阱区；在第一阱区中形成的第二导电型的源区，该源区将与源线连接；在第一阱区中形成的第二导电型的漏区，该漏区将与数据线连接；第一绝缘膜，该第一绝缘膜形成在位于所述源区和所述漏区之间的所述第一阱区的一部分主表面上；第二绝缘膜，该第二绝缘膜形成在所述第二阱区的主表面上；在所述第一和第二绝缘膜上形成的栅极；在所述第二阱区中形成的第一区，该第一区将与字线连接；和在所述第一阱区中形成的第二区，该第二区用以将电位馈送给所述第一阱区；其中在所述栅极上所聚集的电子将被释放时，所述源区的电位被设定为相对高于所述第一区、所述第二区和所述漏区的电位。

主权项

1.一种非易失性存储器元件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底中形成的第一导电型的第一阱区；在所述半导体衬底中形成的第二导电型的第二阱区；在第一阱区中形成的第二导电型的源区，该源区将与源线连接；在第一阱区中形成的第二导电型的漏区，该漏区将与数据线连接；第一绝缘膜，该第一绝缘膜形成在位于所述源区和所述漏区之间的所述第一阱区的一部分主表面上；第二绝缘膜，该第二绝缘膜形成在所述第二阱区的主表面上；在所述第一和第二绝缘膜上形成的栅极；在所述第二阱区中形成的第一区，该第一区将与字线连接；和在所述第一阱区中形成的第二区，该第二区用以将电位馈送给所述第一阱区；其中在所述栅极上所聚集的电子将被释放时，所述源区的电位被设定为相对高于所述第一区、所述第二区和所述漏区的电位。