[发明专利]逻辑开关及利用其的电路有效
| 申请号： | 200510069042.1 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1734783A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 季明华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/772;H01L27/06;H01L27/085;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种逻辑开关及利用其的电路。该逻辑开关是利用GIDL电流做为其原始操作机构。电压可提供至位于pn接面上并和其隔离的掺杂闸极中。第一电压起始GIDL电流，逻辑开关是双向传导的。第二电压停止GIDL电流，但逻辑开关是单向传导的。第三电压使逻辑开关双向都无法传导。同时提出包括逻辑开关的电路。这些电路包括反相器、SRAMs记忆单元、电压参考源及类神经逻辑开关。逻辑开关主要是依照SOI规则来实行，但同时提出依照主体规则的其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 逻辑 开关 利用 电路 | ||
【主权项】：
1、一种逻辑开关，其特征在于其至少包括：一第一导电型的一第一半导体区；一第二导电型的一第二半导体区，相邻于该第一半导体区，以定义一pn接面于该些区域之间；以及一闸极，位于该pn接面与该些区域的接面相邻表面上，该闸极包括：一薄氧化层，位于该些区域的该表面上；以及一导电闸极电极，位于该薄氧化层上，该电极被该第一导电型的一杂质充分掺杂，以安置该第二区的该表面于多数载子缺乏中的该闸极下方，以及安置该第一区的该表面于多数载子累积中的该闸极下方，在热均衡及在该闸极电极与该些区域之间无电位差的情况下，于该些区域间传导闸极引发汲极漏电流(以下简称GIDL)。
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