[发明专利]一种锂钴氧化物中晶相钴氧化物含量的定量分析方法无效

专利信息
申请号: 200510069061.4 申请日: 2005-05-10
公开(公告)号: CN1862253A 公开(公告)日: 2006-11-15
发明(设计)人: 李永胜 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: G01N23/20 分类号: G01N23/20;G01N23/207
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 代理人: 王凤桐;周建秋
地址: 518119广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种用作锂离子电池正极材料的锂钴氧化物中晶相钴氧化物含量的定量分析方法包括测定系数K值、计算掺有内标物质的含有晶相钴氧化物的锂钴氧化物中晶相钴氧化物的质量百分含量W (钴氧化物)以及根据上述K值和W (钴氧化物)值计算锂钴氧化物中晶相钴氧化物的含量三个步骤。采用本发明的方法能够准确判断出钴氧化物的晶相结构,并且能够以较高的准确性定量测定出锂钴氧化物中晶相钴氧化物的含量。
搜索关键词: 一种 氧化物 中晶相钴 含量 定量分析 方法
【主权项】:
1.一种锂钴氧化物中晶相钴氧化物含量的定量分析方法,其特征在于,该方法包括:(1)用XRD衍射仪测定M(标准物质)∶M(内标)为n∶1的含有标准物质与内标物质的混合物的衍射谱图,并计算出标准物质一个衍射峰的强度I(标准物质)和内标物质一个衍射峰的强度I(内标),按公式(1)计算系数K值,K=I(标准物质)M(内标)/I(内标)M(标准物质)=I(标准物质)/nI(内标) (1),其中,M(标准物质)和M(内标)分别为标准物质的质量百分含量和内标物质的质量百分含量,n为1-10,标准物质为晶相Co3O4、Co2O3或CoO,内标物质为其衍射峰对标准物质的至少部分衍射峰不产生干扰的纯净晶相物质;(2)用与上述步骤(1)相同的方法和相同的测量条件测定M°(锂钴氧化 物)∶M°(内标)为n°∶1的含有晶相钴氧化物的锂钴氧化物和内标物质的混合物的衍射谱图,并计算出与上述步骤(1)中标准物质衍射峰相同位置的晶相钴氧化物的衍射峰的强度I°(钴氧化物)和与上述步骤(1)中内标物质衍射峰相同位置的内标物质的衍射峰的强度I°(内标),按公式(2)计算出W(钴氧化物):W(钴氧化物)=I°(钴氧化物)W(内标)/I°(内标)K (2),其中,M°(锂钴氧化物)和M°(内标)分别为含有晶相钴氧化物的锂钴氧化物的质量百分含量和内标物质的质量百分含量,n°为1-10,W(内标)为含有晶相钴氧化物的锂钴氧化物和内标物质的混合物中内标物质的质量百分含量,W(钴氧化物)为含有晶相钴氧化物的锂钴氧化物和内标物质的混合物中晶相钴氧化物的质量百分含量;(3)按下列公式(3)计算出M(钴氧化物): M(钴氧化物)=W(钴氧化物)/(1-W(内标)) (3),其中,M(钴氧化物)代表含有晶相钴氧化物的锂钴氧化物中晶相钴氧化物的质量百分含量。
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