[发明专利]静电放电保护电路及具有此电路的半导体电路有效
| 申请号： | 200510069108.7 | 申请日： | 2005-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1862806A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 赖纯祥;叶彦宏;吕佳伶 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H02H9/00;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静电放电保护电路，适用于具有第一电压源与第二电压源的集成电路中，包括第一半导体硅控整流器、第二半导体硅控整流器、以及寄生二极管。第一半导体硅控整流器的第一控制闸极与电压源相接。而上述的第二半导体硅控整流器的第二控制闸极也与上述的电压源相接。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 电路 具有 半导体 | ||
【主权项】：
1、一种静电放电保护电路，适用于具有一第一电压源与一第二电压源的一集成电路中，其特征在于其包括：一第一半导体硅控整流器，该第一半导体硅控整流器包括一第一金属氧化物半导体电晶体，其中该第一半导体硅控整流器的阴极与该第一电压源相接，该第一半导体硅控整流器的阳极与该第二电压源相接；一第二半导体硅控整流器，该第二半导体硅控整流器包括一第二金属氧化物半导体电晶体，其中该第二半导体硅控整流器的阳极与该第一电压源相接，该第二半导体硅控整流器的阴极与该第二电压源相接，其中该第一与该第二金属氧化物半导体电晶体的闸极同时连接到该第一电压源与该第二电压源的其中之一；以及一寄生二极管，其中该寄生二极管的阴极与该第一电压源相接，该寄生二极管的阳极与该第二电压源相接。
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