[发明专利]记忆体元件及其制造方法

摘要

一种记忆体元件，是由一基底、隔离结构、字元线、埋入式位元线、间隙壁、导体块与闸氧化层所构成。其中，隔离结构沿一第一方向设置于基底上，字元线则沿一第二方向横跨于隔离结构上。再者，有数个间隙壁位于字元线的侧壁，而导体块则位于基底与字元线及间隙壁之间，且导体块还位于隔离结构之间。此外，闸氧化层是位于基底与各导体块之间，埋入式位元线则位于隔离结构底下的基底内。由于可藉由字元线及其侧壁上的间隙壁使导体块的宽度增加，同时缩减两两导体块之间的距离，因此可藉此提升记忆胞的电流，进而降低字元线的阻值。

主权项

1、一种记忆体元件，其特征在于其包括：一基底；多数条隔离结构，沿一第一方向设置于该基底上；多数条字元线，沿一第二方向横跨于该些隔离结构上；多数个间隙壁，位于该些字元线的侧壁；多数个导体块，位于该基底与该些字元线及该些间隙壁之间，且该些导体块是位于该些隔离结构之间；一闸氧化层，位于该基底与各该导体块之间；以及多数条埋入式位元线，位于该些隔离结构底下的该基底内。