[发明专利]化学机械研磨制程及增加其研磨终点准确性的方法有效
申请号: | 200510069388.1 | 申请日: | 2005-05-16 |
公开(公告)号: | CN1866475A | 公开(公告)日: | 2006-11-22 |
发明(设计)人: | 陈俊甫;黄启东;洪永泰;黄俊清 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/66;B24B1/00;B24B7/22 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种增加化学机械研磨制程的研磨终点准确性的方法,此方法是在化学机械研磨制程之前进行。首先提供一测试片,测试片上已形成有待研磨层以及位于待研磨层下方的材料层。接着提供具有一波长的测试光束,照射测试片。对测试片进行化学机械研磨制程,移除待研磨层,直到暴露出材料层为止,并且同时持续侦测测试光束在研磨制程中的反射强度。然后,判断待研磨层即将完全移除,而越接近待研磨层与材料层之间的介面的这时期的反射强度趋势。若是反射强度有逐渐下降的趋势,则以具有此波长的测试光束,用于后续的研磨制程中。 | ||
搜索关键词: | 化学 机械 研磨 增加 终点 准确性 方法 | ||
【主权项】:
1、一种增加化学机械研磨制程的研磨终点准确性的方法,进行化学机械研磨制程之前,其特征在于其步骤包括:(a)提供一测试片,该测试片上已形成有一待研磨层以及位于该待研磨层下方的一材料层;(b)提供具有一波长的一测试光束,照射该测试片;(c)对该测试片进行一化学机械研磨制程,移除该待研磨层,直到暴露出该材料层为止,并且同时持续侦测该测试光束在研磨制程中的一反射强度;以及(d)判断该待研磨层即将完全移除,而越接近该待研磨层与该材料层之间的介面的这时期的该反射强度趋势,若该反射强度有逐渐升高的趋势,则重复步骤(a)至步骤(d),选择另一测试片及另一波长,以进行另一反射强度的判断,直到该反射强度的趋势为一逐渐下降的趋势。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510069388.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于防止漏光的像素结构
- 下一篇:嵌入式设备的驱动方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造