[发明专利]碳纳米管的制造方法以及实施此方法的等离子体CVD装置

摘要

本发明涉及碳纳米管的制造方法以及实施此方法的等离子体CVD装置。由已有的等离子体CVD法于规定的衬底表面上制造碳纳米管时，是通过等离子体加热衬底，难以控制衬底温度，不适合于低温下制造碳纳米管。本发明是在将含碳的原料气体导入真空室(11)，用等离子体CVD法于衬底(S)表面上汽相生长碳纳米管之际。在不使衬底暴露于等离子体区域(P)中的条件下发生等离子体，用加热装置将衬底加热到预定温度，使等离子体分解的原料气体与衬底表面接触，而于衬底表面上生长碳纳米管。

主权项

1.一种碳纳米管的制造方法，其特征在于，将含碳的原料气体导入真空室，在由等离子体CVD法于衬底表面上汽相生长碳纳米管之际，在不使衬底暴露于等离子体下的方式下发生等离子体，用加热装置将衬底加热到预定温度，让等离子体所分解的原料气体与衬底表面接触，而于衬底表面上生长碳纳米管。