[发明专利]在衬底上制造螺旋电感的方法及根据该方法制造的器件无效
| 申请号： | 200510069676.7 | 申请日： | 2005-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1694240A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 穆杰塔巴·如达基 | 申请（专利权）人： | ATMEL德国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种器件和一种用于制造这种器件的制造方法，在该方法中，螺旋电感(6，18)的线圈(6)被这样地嵌入一个膜片(3)中，使得该线圈为线圈(6)从衬底(1)的去耦而自由悬挂在衬底(1)的完全地反向蚀刻的区域(19，20)上方。一个另外的衬底(13)这样地与被处理的衬底(1)的被反向蚀刻的区域(19，20)的下表面相连，使得形成一个空腔区域用于使线圈(6)与衬底(1)去耦。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 制造 螺旋 电感 方法 根据 器件 | ||
【主权项】：
1.用于在一个衬底(1)上制造螺旋电感(6，18)的方法，具有以下方法步骤：—在衬底(1)的上表面形成一个结构化的电感金属化结构(6)和一个结构化的上部的接地金属化结构(5)；—至少在该电感金属化结构(6)和该上部的接地金属化结构(5)之间以及在该电感金属化结构(6)上方形成一个绝缘层(3)；—将该电感金属化结构(6)下方的该衬底(1)的一个区域(19，20)这样地完全反向蚀刻，使得该电感金属化结构(6)的至少这些线圈完全地通过嵌入该绝缘层(3)而自由悬挂地被承载在该衬底(1)的该完全地被反向蚀刻的区域(19，20)上方；并且—将该衬底(1)的该被反向蚀刻的区域(19，20)的该上表面结构化地金属化，以形成一个整体相连的接地位置，以及将该电感金属化结构(6，18)的位于该完全地被反向蚀刻的区域(20)上方的区段结构化地金属化，以形成螺旋电感(6，18)的加厚的线圈。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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