[发明专利]存储器件有效

专利信息
申请号: 200510069728.0 申请日: 2005-01-28
公开(公告)号: CN1697081A 公开(公告)日: 2005-11-16
发明(设计)人: 对马朋人;荒谷胜久;河内山彰 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;H01L27/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 邵亚丽;马莹
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种存储器件,其中可以进行稳定的信息记录且可以缩短记录信息需要的时间。该存储器件包括由具有其中当向存储元件Amn两端之间施加等于或大于阈值电压的电压时电阻值变化的特性的存储元件Amn构成的存储单元C,和作为负载串联连接到存储元件Amn的电路元件Tmn;且当从高阻值状态向低阻值状态改变存储元件Amn的操作被定义为写入时,和当施加到存储元件Amn和电路元件Tmn两端之间的电压等于或大于某一大于阈值电压的电压值时,存储器件具有其中存储单元C中的存储元件Amn和电路元件Tmn的组合电阻值变成几乎无关于施加电压的幅度的常数值。
搜索关键词: 存储 器件
【主权项】:
1.一种存储器件,包括:存储单元,该存储单元包括:存储元件,具有其中当施加等于或大于其两端之间的阈值电压的电压时电阻值变化的特性,和电路元件,作为负载串联连接到所述存储元件,其中当自高电阻值状态向低电阻值状态改变所述存储元件的操作被定义为写入时,且当施加到所述存储元件和所述电路元件的两端之间的电压等于或大于某一大于所述阈值电压的电压值时,在执行了所述的写入之后在所述存储单元中的所述存储元件和所述电路元件的组合电阻值变成几乎无关于所述电压的幅度的常数值。
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