[发明专利]半导体装置的制造方法及其制造装置

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法及其制造装置。沿着与XY轴平面正交的一个轴，对电极(32)的形成面和导线(12)的形成面进行摄像。得到电极(32)的形成面和导线(12)的形成面的、向与Z轴正交的一个面的投影图像。在投影图像中，计算一个电极(32)的图像和一个导线(12)的图像之间的偏移。为了不产生偏移计算所必需的、由基板(10)和半导体芯片(30)中的至少一方的膨胀或收缩引起的变形值。为了得到该变形值，计算必需的、基板(10)和半导体芯片(30)中至少一方的温度变化。根据温度变化，改变半导体芯片(30)和基板(10)中至少一方的温度。因此提供了一种可高精度地连接半导体芯片的电极和基板的导线的技术。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：(a)在由XYZ轴构成的三维座标系的XY轴平面上配置形成有多条导线的基板；(b)配置具有多个电极的半导体芯片以使所述电极的形成面与所述基板的所述导线的形成面空出间隔并相对；(c)对所述多条导线和所述多个电极进行位置对准以使其互相相对；以及(d)电连接所述多条导线和所述多个电极；所述(c)工序包括：(c1)沿着与所述XY轴平面正交的一个轴，对所述电极的形成面和所述导线的形成面进行摄像；(c2)得到所述电极的形成面和所述导线的形成面的、向与Z轴正交的一个面的投影图像；(c3)在所述投影图像中，计算一个所述电极的图像与一个所述导线的图像之间的偏移；(c4)为了不产生所述偏移量，计算必要的、由所述基板和所述半导体芯片中的至少一方的膨胀或收缩而引起的变形值；(c5)为了得到所述变形值，计算必要的、所述基板和所述半导体芯片中的至少一方的温度变化；以及(c6)根据所述温度变化，使所述半导体芯片和所述基板中的至少一方的温度变化。