[发明专利]掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物及其单晶与薄膜材料无效
| 申请号： | 200510069840.4 | 申请日： | 2005-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN1858307A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 邹建平;郭国聪;陈文通;蔡丽珍;赵振乾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物及其单晶与薄膜材料，涉及新型红外材料领域。掺锑、砷新型碲镉汞改性化合物生长是采用高真空高温固相合成法或熔融法；其单晶生长采用布里奇曼方法；其薄膜材料采用分子束外延方法制备。本新型红外材料是一种带隙宽度在较宽范围内可调整，结构稳定，组分均匀，制备工艺相对简单，而性能却仍可达到MCT材料的水平的新型碲镉汞改性红外材料。 | ||
| 搜索关键词： | 掺锑 新型 碲镉汞 改性 化合物 及其 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
1.一种掺锑新型碲镉汞改性化合物的制备方法，其特征在于：以HgTe、CdTe、As和Cd为原料，采用高真空高温固相合成法或熔融法。
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