[发明专利]差异掺杂的铜镶嵌结构与其制造方法

摘要

本发明是有关于一种差异掺杂的铜镶嵌结构与其制造方法，该方法包括有提供具有处理表面的半导体制程晶圆，此处理表面具有一开口，以形成半导体特征；于开口之上沉积至少一层含金属与非金属掺质，与后续沉积的铜层形成一热扩散关系；沉积铜层以填满开口；以及热处理此半导体制程晶圆一段热处理时间，此一段热处理时间足以将至少一部份的金属与非金属掺质分散，并使其沿着至少一部份的铜层边缘聚集，此铜层的边缘包括一部份的铜层的晶粒界面。

主权项

1、一种差异掺杂的铜镶嵌结构的制造方法，其中该方法是利用电化学沉积制程，其特征在于其至少包括以下步骤：提供一半导体晶圆，其中该半导体晶圆具有一制程表面，该制程表面包含一介电绝缘层以及复数个开口形成于该制程表面之上；进行一第一铜电化学沉积制程，藉以沉积具有一第一掺质浓度的一第一掺杂铜部分，用来填满包含一第一开口宽度范围的该些开口，同时余留下至少一未填满开口，其中该位填满开口包含大于该第一开口宽度的一第二开口宽度；以及进行至少一第二铜电化学沉积制程，藉以沉积具有一第二掺质浓度的一第二掺杂铜部分，用来填满剩余的该未填满开口。