[发明专利]沟槽应变抬升源/漏结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种用于制造应变抬升源/漏层的沟槽硅的可制造方法，该方法采用端点探测方法用于沟槽蚀刻并提供沟槽上的紧密度容差。该方法包括：在掺杂半导体衬底的表面上形成包括氧和碳的单层；在掺杂半导体衬底上形成外延Si层；在外延Si层上形成至少一个栅极区；使用端点探测，选择性地蚀刻外延Si层未受栅极区保护的暴露部分，在掺杂半导体衬底上停止，并暴露掺杂半导体衬底；以及在暴露的掺杂半导体衬底上形成应变SiGe层。应变SiGe层充当其中可以随后形成源/漏扩散区的抬升层。

主权项

1.一种半导体结构，包括：掺杂半导体衬底；位于所述掺杂半导体表面上的包括碳和氧的单层；位于部分所述掺杂半导体衬底上的外延Si层；位于所述外延Si层上的栅极区；以及位于所述掺杂半导体衬底上与所述外延Si层和所述栅极区相邻的应变SiGe层，所述应变SiGe层充当用于源/漏扩散区的抬升层。