[发明专利]化学机械抛光浆料及抛光基板的方法有效
| 申请号： | 200510069987.3 | 申请日： | 2005-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1696236A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 金大亨;洪锡敏;全宰贤;金皓性;朴炫洙;白云揆;朴在勤;金容国 | 申请（专利权）人： | K.C.科技股份有限公司;汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明阐述了一种抛光浆料及其制备方法。具体的说，本发明涉及一种用于化学机械抛光(以下简称‘CMP’)的浆料，这种抛光浆料应用于STI(浅槽隔离)技术中的CMP时，对氧化层与氮化层的抛光速率具有高的选择性。这种选择性对超高集成半导体硅片(超高集成半导体硅片对于256兆字节或更高的D－RAM时有一定的设计标准，如设计标准为0.13μm或更小)的生产至关重要。本发明包括一种对抛光粒子进行预处理的方法和设备、分散设备及其操作方法、化学添加剂的用量及加入方法和中转样本装置。本发明可生产高性能纳米级二氧化铈浆料，其对于≤0.13μm的超高度集成半导体的CMP很重要，尤其是STI制程。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 浆料 抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抛光浆料：包括：分散在该抛光浆料中的抛光粒子，其中在不同固含量和粒径下，控制抛光粒子中的大粒子的数目。
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