[发明专利]化学机械抛光浆料及抛光基板的方法有效

专利信息
申请号: 200510069987.3 申请日: 2005-05-11
公开(公告)号: CN1696236A 公开(公告)日: 2005-11-16
发明(设计)人: 金大亨;洪锡敏;全宰贤;金皓性;朴炫洙;白云揆;朴在勤;金容国 申请(专利权)人: K.C.科技股份有限公司;汉阳大学校产学协力团
主分类号: C09K3/14 分类号: C09K3/14;H01L21/304
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明阐述了一种抛光浆料及其制备方法。具体的说,本发明涉及一种用于化学机械抛光(以下简称‘CMP’)的浆料,这种抛光浆料应用于STI(浅槽隔离)技术中的CMP时,对氧化层与氮化层的抛光速率具有高的选择性。这种选择性对超高集成半导体硅片(超高集成半导体硅片对于256兆字节或更高的D-RAM时有一定的设计标准,如设计标准为0.13μm或更小)的生产至关重要。本发明包括一种对抛光粒子进行预处理的方法和设备、分散设备及其操作方法、化学添加剂的用量及加入方法和中转样本装置。本发明可生产高性能纳米级二氧化铈浆料,其对于≤0.13μm的超高度集成半导体的CMP很重要,尤其是STI制程。
搜索关键词: 化学 机械抛光 浆料 抛光 方法
【主权项】:
1.一种抛光浆料:包括:分散在该抛光浆料中的抛光粒子,其中在不同固含量和粒径下,控制抛光粒子中的大粒子的数目。
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