[发明专利]半导体存储器装置以及半导体集成电路

摘要

一种半导体存储装置，多个位线(5)中非选择位线的预充电电位，由HPR电压源(2)设定成比确定存储在存储器单元中的数据高电位侧的电位的电源电压(Vcc)(0.5V～1.2V范围内的低电压，例如0.8V)要低的电位(例如1/2Vcc＝0.4V)。多个字线(4)中非选择字线的电位，由NWL电压源设定成给定负电位(例如－1/4Vcc＝－0.2V)。上述非选择位线的预充电电位(0.4V)非选择字线的负电位(－0.2V)的绝对值的合计值，设定成低于电源电压(Vcc)(0.8V)。从而在半导体存储装置中，在有效限制多个存储器单元的截止漏电流的同时、可以有效限制栅极漏电流以及GIDL漏电流。

主权项

1.一种半导体集成电路，包括：具有多个存储器单元、为了从所述多个存储器单元中访问特定的存储器单元的数据而选择的多个字线以及多个位线、选择所述多个字线中的任一个的解码电路、以及接收所述解码电路的输出而驱动选择字线的字线驱动电路、的半导体存储器；和具有低阈值电压的晶体管以及高阈值电压的晶体管的半导体电路，其特征是，所述半导体存储器的解码电路，具有其源极线与接地电位连接的晶体管，所述晶体管由和所述半导体电路所具有的低阈值电压的晶体管同种的低阈值电压晶体管所构成，所述半导体存储器的字线驱动电路，具有下拉所述字线的电位的源极线与负电位的供给线连接的下拉晶体管，所述下拉晶体管具有和所述半导体电路所具有的高阈值电压的晶体管同种的高阈值电压晶体管。