[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510070258.X | 申请日： | 2005-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1697197A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 井上真幸;大平明 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有寄生二极管、并且减小寄生PNP晶体管的hfe的低价的半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括P型硅衬底(1)和形成在P型硅衬底(1)上的栅电极(5)，P型硅衬底(1)具有N型阱层(2)、N型埋入层(3)、P型本体层(6)、形成在P型本体层(6)内的N型源极层(7)、以及形成在N型阱层(2)内的N型漏极接触层(8)，P型本体层(6)和N型源极层(7)通过用栅电极(5)作为掩模的自对准来形成，N型漏极接触层(8)隔着栅电极(5)下方的P型本体层(6)形成在与N型源极层(7)相反的一侧，N型埋入层(3)形成在P型本体层(6)下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：包括第1导电型的半导体衬底、以及形成在所述半导体衬底上的栅电极；所述半导体衬底具有：与第1导电型相反极性的第2导电型的阱层；形成在所述阱层内的第2导电型的漏极接触层；第1导电型的本体层；形成在所述本体层内的第2导电型的源极层；以及第2导电型的埋入层，所述本体层和所述源极层通过用所述栅电极作为掩模的自对准形成，所述漏极接触层隔着所述栅电极下方的本体层形成在与所述源极层相反的一侧，所述埋入层形成在所述本体层下方。
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