[发明专利]制造薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 200510070453.2 | 申请日： | 2005-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1753151A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 申铉亿 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/00;H01L21/324;H01L21/84;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，该方法可以包括在形成非晶硅层和帽盖层的衬底上形成金属催化剂层。使用溅射靶材可以形成金属催化剂，其中可以在形成溅射靶材的工艺中控制金属催化剂的成分比。靶材可以由金属催化剂和具有大于金属催化剂的原子量的金属组成。该合金可以用预定的成分比形成。可以退火衬底以结晶非晶硅层成为多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：在衬底上形成非晶硅层和帽盖层；使用包括含有第一金属和具有大于所述第一金属的原子量第二金属的合金的溅射靶材在所述帽盖层上形成金属催化剂层；退火所述衬底以结晶所述非晶硅层成为多晶硅层；和构图所述多晶硅层以形成半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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