[发明专利]具有击穿保护的晶体管结构

摘要

本发明涉及一种具有击穿保护的晶体管结构，其能够提高晶体管耐击穿能量，并且能够扩大预定雪崩击穿电压所需的离子掺杂浓度冗余度。该晶体管结构避免了寄生双极型晶体管被导通，并能够提高晶体管耐雪崩击穿的电流。同时该晶体管结构具有一金属场效区块，用以扩大预定雪崩击穿电压所需的离子掺杂浓度的冗余度。

主权项

1、一种具有击穿保护的晶体管结构，包括：一第一型离子掺杂区域；一第二型离子掺杂区域，其形成在该第一型离子掺杂区域内，其中该第一型离子掺杂区域与该第二型离子掺杂区域的离子的极性是相反的；一第一型离子重掺杂区域，其形成在该第二型离子掺杂区域内；一第二型离子重掺杂区域，其形成在该第二型离子掺杂区域内；以及一导体，其与该第一型离子重掺杂区域及该第二型离子重掺杂区域相连接；其中该第一型离子重掺杂区域与该第二型离子重掺杂区域相比，其位置离雪崩击穿发生区域较远。