[发明专利]反应烧结氮化硅粉技术无效
| 申请号： | 200510070891.9 | 申请日： | 2005-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1868966A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张喜民;胡京平;石宁;苗赫濯 | 申请（专利权）人： | 北京清华紫光方大高技术陶瓷有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/591 | 分类号： | C04B35/591 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100096北京市海淀区西*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一项利用反应烧结法生产氮化硅粉的技术工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 烧结 氮化 技术 | ||
【主权项】：
1.反应烧结氮化硅粉过程通入N2、H2、Ar三种气体H2用来保证反应炉中的还原气氛，Ar用来控制反应速度。在工艺中气体控制分三种状态通气、停气、换气。具体方法为：800℃以下抽真空-1MPa。(1).400-700℃时充入氮气和氢气而不充氩气，平均每2小时充一次。(2)700-800℃时在抽真空过程中通气1-2次。(3)800-1150℃在升温过程中始终通气，比例为N2(0.6)∶H2(0.03)、Ar(0.11)。1150℃开始保温，先通气2小时后，每1小时各通气、换气一次。24小时后，每2小时各通气、换气一次。(4)1150-1220℃按照反应速度供气，将反应炉内压力控制在1Mpa左右。此过程中不换气。(5)1220-1360℃在升温过程中通气，1300℃和1360℃保温过程中每3.5小时换气一次。(6)每小时升温20-40℃，保温时间20-40小时左右。
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