[发明专利]高纯氮化硅超细粉磨技术无效
申请号: | 200510070892.3 | 申请日: | 2005-05-23 |
公开(公告)号: | CN1868965A | 公开(公告)日: | 2006-11-29 |
发明(设计)人: | 张喜民;胡京平;石宁;苗赫濯 | 申请(专利权)人: | 北京清华紫光方大高技术陶瓷有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/626 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100096北京市海淀区西*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一项利用专用粉碎设备加工超细氮化硅粉体的技术。采用酒精作为磨细过程中的分散剂,防止氮化硅粉的二次氧化。采用氮化硅材质的磨衬和磨球,用搅拌磨加工超细粉体。磨衬和磨球的材料选择复合氮化硅陶瓷片,该陶瓷片采用热压烧结,材料耐磨性和韧性都非常好。 | ||
搜索关键词: | 高纯 氮化 硅超细粉磨 技术 | ||
【主权项】:
①采用氮化硅材质的磨衬和磨球,磨衬和磨球的材料选择复合氮化硅陶瓷片,其特征在于:该陶瓷片采用热压烧结。
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