[发明专利]具有改善构形的铜内连线结构以及制造内连线结构的方法无效
| 申请号： | 200510070988.X | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1763921A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 范淑贞;陈学忠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种半导体装置的铜内连线结构，该结构的表面区域的粗糙度大于20埃，且以大于100埃为较佳。铜内连线结构的表面区域与另一以离子轰击形成的粗糙表面互相接触，以解决铜内连线结构中电子漂移以及应力漂移的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 构形 连线 结构 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造铜内连线结构的方法，其特征在于其至少包括下列步骤：提供一表面区域；使用能量化离子对该表面区域进行轰击制程，藉以形成粗糙的表面结构；以及沉积一铜金属共形于该表面区域上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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