[发明专利]可控制触发电压的静电放电装置有效
| 申请号： | 200510071001.6 | 申请日： | 2005-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1866511A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 黄志丰;简铎欣;林振宇;杨大勇 | 申请（专利权）人： | 崇贸科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种具有寄生硅控整流器(SCR)结构与可控制触发电压特性的静电放电(ESD)装置。藉由调变轻掺杂井的边缘与位于轻掺杂井边缘的重掺杂区边缘之间的距离，实现此静电放电装置可调整的触发电压。此触发电压可设为介于一最小值到一最大值之间的一特定值。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 触发 电压 静电 放电 装置 | ||
【主权项】：
1、一种可控制触发电压的静电放电装置，其特征在于其包括：一P型基板；一N型井，形成于该P型基板中；一第一N+型区，形成于该P型基板中以及该N型井外；一第一P+型区，形成于该P型基板中以及该N型井外，并且该第一P+型区与该第一N+型区之间以一第一场氧化层(field oxides)相隔离；一第二N+型区，配置于该N型井中；一第二P+型区，配置于该N型井中；一第三N+型区，配置于该第二P+型区与一第二场氧化层之间，其中该第三N+型区与该第一N+型区之间以该第二场氧化层相隔离，以及该第二场氧化层与该第三N+型区相邻接的边缘至该N型井的边缘为一预定距离；一第一电极，其经由一第一电性导体连接该第一P+型区与该第一N+型区；以及一第二电极，其经由一第二电性导体连接该第二N+型区与该第二P+型区；其中藉由调整该预定距离，使该N型井的边缘位于该第二场氧化层与该第三N+型区的范围间，而决定该静电放电装置的一触发电压。
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