[发明专利]具有应变与无应变晶体管的集成电路及其制造方法

摘要

一种具有应变与无应变晶体管的集成电路及其制造方法，利用系统层次能带间隙的工程技术，针对元件中一些需有较高驱动电流通过的区域的结构加以改良。例如，可对p型金属氧化半导体元件中的应变源极/汲极以及对n型金属氧化半导体中的拉伸薄膜等这些部位。对此集成电路中无须有高驱动电流通过的其他区域，可采用习知的结构。也就是说，可在PMOS元件中采用硅锗磊晶，用以提升其载子的迁移率。其中，此SiGe磊晶层以分布在源极/汲极、元件间的接合或在通道的内部为佳。另外，可在部分NMOS元件中以及在需要提升电子迁移率的元件中采用拉伸薄膜。此拉伸薄膜以氮化硅层为佳，且以利用电浆沉积技术所制造的氮化硅接触窗蚀刻终止层为较佳。

主权项

1、一种半导体元件，其特征在于该半导体元件至少包括：一PMOS元件，位在一基板的一逻辑核心区块中，其中该PMOS元件至少包含一源极以及一汲极，并且该源极与该汲极中的至少一个至少包含一第一应力源；一第一NMOS元件，位在该基板的该逻辑核心区块中，其中该第一NMOS元件至少包含一第二应力源；以及一第二NMOS元件，位在该基板的一嵌入式记忆体中，其中该第二NMOS元件至少包含该第二应力源。