[发明专利]适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统有效
| 申请号： | 200510071093.8 | 申请日： | 2005-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1870224A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 李海鸥;尹军舰;张海英;和致经;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统，在重掺杂铟镓砷半导体层上与金属形成良好欧姆接触的新型六层金属结构镍/锗/金/锗/镍/金，在较低的温度360－380度和较短的时间50－80秒内，于氮气气氛下合金得到低的欧姆接触电阻，可达1.87E－07Ω.cm2，合金后图形表面形貌光滑平整、图形边缘整齐并且与工艺的兼容性好。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，容易在微波、毫米波化合物半导体器件制作中采用和推广。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 高速 砷化镓基 器件 欧姆 接触 金属 合金 系统 | ||
【主权项】：
1.一种适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统，其特征在于，欧姆接触金属蒸发时采用镍/锗/金/锗/镍/金的六层结构，蒸发顺序依次为镍/锗/金/锗/镍/金，与传统的金/锗/镍或金/锗金属合金结构相比，本欧姆接触系统具有在较低合金温度、较短合金时间下，在重掺杂铟镓砷层与金属层间形成良好的欧姆接触，合金表面形貌光滑平整，图形边缘整齐并且与工艺的兼容性好。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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