[发明专利]用于低功率条件的半导体存储器设备无效
| 申请号： | 200510071182.2 | 申请日： | 2005-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1767057A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 姜熙福 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/419;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储器设备，其用于从存储器单元读取数据或将数据写入存储器单元，包括：至少一个单元阵列，其具有多个存储器单元，用于输出所储存的数据至位线及位线杠中之一，以响应输入地址及命令；至少一个参考单元阵列，用于输出一参考信号至该位线及该位线杠中的另一个；一预充电块，用于预充电该位线及该位线杠为地电位；以及一感测放大块，用于通过使用一用于操作该半导体存储器设备的核心电压及一具有比该核心电压高的电压电平的高电压来感测及放大该数据。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 条件 半导体 存储器 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器设备，用于从存储器单元读取数据或将数据写入存储器单元，包括：至少一个单元阵列，其具有多个存储器单元，用于输出存储数据至位线及位线杠中的一个，以响应输入地址及命令；至少一个参考单元阵列，用于输出一参考信号至该位线及该位线杠中的另一个；预充电块，用于预充电该位线及该位线杠为地电位；以及感测放大块，用于通过使用一用于操作该半导体存储器设备的核心电压和一具有比该核心电压高的电压电平的高电压来感测及放大该数据。
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